Transportna svojstva šupljina u nanometarskim germanijskim strukturama

diplomski rad

• Naslov (engleski): Transport properties of holes in nanometer germanium structures
• Autor: Vedran Ivanić
• Mentor: Tomislav Suligoj (mentor)
• Mentor: Ivo Batistić (mentor)
• Član povjerenstva: Ivo Batistić (predsjednik povjerenstva)
• Član povjerenstva: Tomislav Suligoj (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Goranka Bilalbegović (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Ivan Kupčić (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Hrvoje Buljan (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Prirodoslovno-matematički fakultet; (Fizički odsjek); Zagreb
• Datum i država obrane: 2014-09-26, Hrvatska
• Znanstveno / umjetničko područje, polje i grana: PRIRODNE ZNANOSTI; Fizika

Sažetak

Numeričkim modeliranjem utemeljenim na fizikalnim zakonima je računata pokretljivosti šupljina u ultra-tankim germanijskim slojevima. Schrodingerova i Poissonova jednadžba je uzeta u obzir samokonzistentno a mobilnost je izražena preko Kubo-Greenwood formule. Kvantno zatočenje je uzeto u obzir za pojas teških, lakih i split-off šupljina za germanijski MOSFET sa dvije upravljačke elektrode. Promatrana je raspodjela valne funkcije šupljina unutar germanija i energetski nivoi. Raspršenje na akustičnim i optičkim fononima je uzeto u obzir prilikom računanja impulsnog relaksacijskog vremena šupljina. Opaženo smanjenje pokretljivosti u tanjim slojevima je objašnjeno pregledom utjecaja zatočenja izazvanog poljem i geometrijskog zatočenja. Doprinosi različitih pojaseva šupljina su proučeni računajući populaciju pojedinog pojasa i njegovu mobilnost.

Sažetak (engleski)

Physics-based modeling of hole mobilities in ultra-thin germanium layers is calculated with self-consistent Schrodinger-Poisson solver and Kubo- Greenwood formula. Quantum confinement is taken into account for heavy, light and split-off hole band in a double-gate germanium MOSFET structure. Distribution of hole wave function is examined along with energy levels. Acoustic and optical phonon scattering is taken into consideration in the calculation of hole momentum relaxation time. The observed reduction of mobility in thinner layers is explained by examining the influence of fieldinduced and geometry-induced confinement. Contributions from different hole bands are investigated by calculating band population and respective band mobilities.

• Ključne riječi: kristalna rešetka germanija; Schrodinger-Poissonov simulator
• Ključne riječi (engleski): crystal lattice of germanium; Schrodinger-Poisson's simulator
• Jezik: hrvatski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:217:538621
• Studijski program: Naziv: Fizika; smjerovi: istraživački; Smjer: istraživački; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: integrirani preddiplomski i diplomski; Akademski / stručni naziv: magistar/magistra fizike (mag. phys.)
• Vrsta resursa: Tekst
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Otvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2017-06-14 15:03:53