prikaz prve stranice dokumenta Depolarization crossovers in the microwave response of silicon crystals in slab geometry
  Preuzmi
PDF 368.84 KB
Znanstveni rad - Izvorni znanstveni rad
Depolarization crossovers in the microwave response of silicon crystals in slab geometry
Fizika A, 15 (2006), 1; 25-34. urn:nbn:hr:217:936843
Babić, Bakir; Basletić, Mario; Dulčić, Antonije; Požek, Miroslav

Citirajte ovaj rad

Babić, B., Basletić, M., Dulčić, A. i Požek, M. (2006). Depolarization crossovers in the microwave response of silicon crystals in slab geometry. Fizika A, 15. (1), 25-34. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:936843

Babić, Bakir, et al. "Depolarization crossovers in the microwave response of silicon crystals in slab geometry." Fizika A, vol. 15, br. 1, 2006, str. 25-34. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:936843

Babić, Bakir, Mario Basletić, Antonije Dulčić i Miroslav Požek. "Depolarization crossovers in the microwave response of silicon crystals in slab geometry." Fizika A 15, br. 1 (2006): 25-34. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:936843

Babić, B., et al. (2006) 'Depolarization crossovers in the microwave response of silicon crystals in slab geometry', Fizika A, 15(1), str. 25-34. Preuzeto s: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:936843 (Datum pristupa: 05.11.2024.)

Babić B, Basletić M, Dulčić A, Požek M. Depolarization crossovers in the microwave response of silicon crystals in slab geometry. Fizika A [Internet]. 2006. [pristupljeno 05.11.2024.];15(1):25-34. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:936843

B. Babić, M. Basletić, A. Dulčić i M. Požek, "Depolarization crossovers in the microwave response of silicon crystals in slab geometry", Fizika A, vol. 15, br. 1, str. 25-34, 2006. [Online]. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:936843. [Citirano: 05.11.2024.]

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:936843
Prijavite se u repozitorij kako biste mogli spremiti objekt u svoju listu.
Podaci o radu
Naslov (engleski)Depolarization crossovers in the microwave response of silicon crystals in slab geometry
AutorBakir Babić
AutorMario Basletić
AutorAntonije Dulčić
AutorMiroslav Požek
Autorova ustanovaSveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
(Fizički odsjek)
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Sažetak (engleski)
Microwave cavity perturbation measurements have been performed on several n-type silicon samples with different depolarization factors due to sample geometries. The general solution for the complex frequency shift in slab geometry is discussed for the specific case of semiconductors. The depolarization crossovers predicted by the theory have been experimentally observed. Their relative intensities suggest that the imaginary part of the complex conductivity of semiconductors has to be taken into account. Electron scattering time has been inferred from the microwave measurements.
Ključne riječi (engleski)
Jezikengleski
Vrsta publikacijeZnanstveni rad - Izvorni znanstveni rad
Status objaveObjavljen
Vrsta recenzijeRecenziran
Verzija publikacijeObjavljena verzija rada (izdavačev PDF)
Naslov časopisaFizika A
Brojčani podacivol. 15, br. 1, str. 25-34
p-ISSN1330-0008
URN:NBNurn:nbn:hr:217:936843
Datum objave publikacije2006
URL dokumentahttp://fizika.hfd.hr/fizika_a/av06/a15p025.htm
Vrsta resursaTekst
Prava pristupaOtvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2019-10-15 14:39:44